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航空航天學院畢闖副教授在電路與系統頂級會議 《IEEE International Symposium on Circuits And Systems》發表論文

文章來源:航空航天學院科研科           添加時間:2019/6/5 17:46:47

 

航空航天學院畢闖副教授在電路與系統頂級會議

IEEE International Symposium on Circuits and Systems》發表論文

 

  2019525日至530日,IEEE電路與系統國際研討會(IEEE International Symposium on Circuits and Systems)在日本札幌舉行。我校航空航天學院畢闖副教授發表會議論文,畢闖副教授為該論文第一作者,電子科技大學為該論文第一作者單位。同時,該論文被推薦到IEEE期刊《IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs》,經過嚴格評審,已經發表為期刊論文。畢闖副教授在大會上宣讀論文《Prediction of Electromagnetic Interference Noise in SiC MOSFET Module》。

      

碳化硅(Silicon carbide,SiC)作為市場上最成熟的寬禁帶半導體材料正受到越來越多地關注,基于碳化硅材料的電力電子器件成為國際研究熱點。碳化硅MOSFET在開關過程中產生非常高的電流和電壓變化率,即非常高的 di/dt  du/dt,它們通過電路中寄生電感和寄生電容產生強烈的瞬態電磁噪聲。建立碳化硅MOSFET的精準開關行為模型,分析其電磁干擾特性,研究碳化硅器件產生傳導和輻射電磁干擾的機理,不僅具有非常高的學術價值,而且對于工業生產應用具有重要的指導意義。

    

  畢闖博士畢業于愛爾蘭都柏林大學電路與系統專業,電子科技大學-重慶長安汽車股份有限公司聯合培養企業博士后,是電子科技大學電動汽車動力系統與安全技術研究所電磁兼容方向負責人,被聘為重慶汽車智能智造與檢測產業技術研究院特聘專家,目前主要研究方向為機電復合系統電磁兼容技術。近年來主持和主研國家重點研發計劃、中國博士后基金,裝備預研基金,四川省科技支撐計劃項目,四川省國際交流合作項目等;主持和主研了中車株洲電力機車研究所有限公司、許繼電氣有限責任公司等多項電磁兼容相關的企業項目。已獨立或合作發表SCI/EI 論文20余篇;授權發明專利11項、授權實用新型專利1項、申報發明專利7項。

 

IEEE國際電路與系統研討會(ISCAS)是電路與系統領域世界頂級的國際會議,主要為電路與系統的理論、設計和應用等領域的研究人員服務。ISCASIEEE電路與系統學會的旗艦會議,旨在將其多學科團體聚集在一起,包括模擬和數字電路與系統、納米技術、傳感器、非線性系統、生物系統、神經系統、信號處理和通信技術。

 

論文引用:

Chuang Bi , Ruobing Lu, Hui LiPrediction of Electromagnetic Interference Noise in 

SiC MOSFET Module, IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs,

Volume: 66, Issue: 5, Pages: 853 – 857, Year: 2019.

論文鏈接:https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=8681650

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