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自組團出訪后公示信息表

文章來源:學院辦公室           添加時間:2019/6/14 13:59:52

 

組團單位:航空航天學院

聯系人:畢闖

  話:13408064345

公示地址:

             學校局域網

公示時間(起止日期):

2019.6.6-2019.6.12

團組名稱:畢闖組團

 

批文號:川府辦外[2019]0681

團長姓名:  畢闖

 

團組人數:1

出訪國家(地區): 日本/札幌

批準天數:6

實際在外天數:6

實際路線: 成都-大阪-札幌-上海-成都

實際使用經費(元/每人): 11730

經費來源:G072018YFB0106100

實際日程

日期

停留城市與活動內容

5.25

從成都去札幌,會議注冊

5.26

札幌,聽會議報告

5.27

札幌,聽會議報告,做大會報告,宣讀論文

5.28

札幌,聽會議報告

5.29

札幌,聽會議報告

5.30

從札幌返回成都

 

 

 

 

出訪

 

成果

 

(不少于500字)

 

 

 

畢闖副教授在電路與系統頂級會議《IEEE International Symposium on Circuits and Systems》發表論文,為該論文第一作者,電子科技大學為該論文第一作者單位。同時,該論文被篩選推薦到IEEE期刊《IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs》,經過嚴格評審,已經發表為期刊論文。大會上,畢闖副教授宣讀會議論文《Prediction of Electromagnetic Interference Noise in SiC MOSFET Module》。

碳化硅(Silicon carbide,SiC)作為市場上最成熟的寬禁帶半導體材料正受到越來越多地關注,基于碳化硅材料的電力電子器件成為國際研究熱點。碳化硅MOSFET在開關過程中產生非常高的電流和電壓變化率,即非常高的 di/dt du/dt,它們通過電路中寄生電感和寄生電容產生強烈的瞬態電磁噪聲。建立碳化硅MOSFET的精準開關行為模型,分析其電磁干擾特性,研究碳化硅器件產生傳導和輻射電磁干擾的機理,不僅具有非常高的學術價值,而且對于工業生產應用具有重要的指導意義。

備注事項:

團長審核簽字:

單位監督電話:

028-61830672

任務審批監督電話:

        028-84356795

公示情況:

           

該團公示期滿后有/無異議(此欄公示完成后再填寫)。

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